W4NXD8C-S000 ДДССССФФААА таблични

W4NXD8C-S000 ДДССССФФААА таблични пдф доунлоад: Diameter 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4NXD8C-S000 ДДССССФФААА таблични пдф доунлоад:

Део Бр：W4NXD8C-S000

Производјач: Cree

Опис: Diameter 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Температура:

ПДФ Величина:

ПДФ Резултати:

W4NXD8C-S000 ДДССССФФААА таблични: ДДССССФФААА таблични