W4NXD8C-S000 Datasheet

W4NXD8C-S000 спецификацию PDF Скачать: Diameter 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4NXD8C-S000 спецификацию PDF Скачать:

Название электронного компонента：W4NXD8C-S000

Производитель: Cree

Описание: Diameter 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Темп. диапазон:

Размер PDF:

PDF страницы:

W4NXD8C-S000 Datasheet: Datasheet