W4TXE0X-0D00 ДДССССФФААА таблични

W4TXE0X-0D00 ДДССССФФААА таблични пдф доунлоад: Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4TXE0X-0D00 ДДССССФФААА таблични пдф доунлоад:

Део Бр：W4TXE0X-0D00

Производјач: Cree

Опис: Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Температура:

ПДФ Величина:

ПДФ Резултати:

W4TXE0X-0D00 ДДССССФФААА таблични: ДДССССФФААА таблични