W4TXE0X-0D00 データシート

W4TXE0X-0D00 データシートPDFダウンロード： Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

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品番：W4TXE0X-0D00

メーカー: Cree

説明: Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

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