W4TXE0X-0D00 datu

W4TXE0X-0D00 datu lapā PDF Lejupielādēt: Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4TXE0X-0D00 datu lapā PDF Lejupielādēt:

Daļa Nr：W4TXE0X-0D00

Ražotājs: Cree

Apraksts: Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Temperatūra:

PDF izmērs:

PDF lapas:

W4TXE0X-0D00 datu: datu