W4NXE4C-0D00 ДДССССФФААА таблични
W4NXE4C-0D00 ДДССССФФААА таблични пдф доунлоад: Diameter 76.2mm; standard micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
W4NXE4C-0D00 ДДССССФФААА таблични пдф доунлоад:
Део Бр:W4NXE4C-0D00
Производјач: Cree
Опис: Diameter 76.2mm; standard micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
Температура:
ПДФ Величина:
ПДФ Резултати:
W4NXE4C-0D00 ДДССССФФААА таблични: ДДССССФФААА таблични
Copyright © 2024 - Datasheet PDF W4NXE4C-0D00,ДДССССФФААА таблични пдф доунлоад: W4NXE4C-0D00
English 简体中文 Español العربية Português Русский 日本語 Deutsch 한국어 Français Italiano Nederlands Ελληνική Български Polski Dansk Suomi Česky Hrvatski Română Norsk Svenska 繁體中文 हिन्दी Indonesia עברית lietuvių latviešu slovenskom Slovenski српски Philippine українська Việt Nam