W4NXE4C-0D00 Specifikacijos

W4NXE4C-0D00 PDF Atsisiųsti: Diameter 76.2mm; standard micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4NXE4C-0D00 PDF Atsisiųsti:

Dalis Nr：W4NXE4C-0D00

Gamintojas: Cree

Aprašymas: Diameter 76.2mm; standard micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Temperatūra:

PDF Dydis:

PDF puslapiai:

W4NXE4C-0D00 Specifikacijos: Specifikacijos