K4E160812D-B Datasheet
K4E160812D-B спецификацию PDF Скачать: 2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.
K4E160812D-B спецификацию PDF Скачать:
Название электронного компонента:K4E160812D-B
Производитель: Samsung
Описание: 2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.
Темп. диапазон:
Размер PDF:
PDF страницы:
K4E160812D-B Datasheet: Datasheet
Copyright © 2024 - Datasheet PDF K4E160812D-B,спецификацию PDF Скачать: K4E160812D-B
English 简体中文 Español العربية Português Русский 日本語 Deutsch 한국어 Français Italiano Nederlands Ελληνική Български Polski Dansk Suomi Česky Hrvatski Română Norsk Svenska 繁體中文 हिन्दी Indonesia עברית lietuvių latviešu slovenskom Slovenski српски Philippine українська Việt Nam