W4NXE8C-LD00 Специфікації

W4NXE8C-LD00 специфікацію PDF Завантажити: Diameter 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4NXE8C-LD00 специфікацію PDF Завантажити:

Частина Ні：W4NXE8C-LD00

Виробник: Cree

Опис: Diameter 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Температура:

Розмір PDF:

PDF сторінки:

W4NXE8C-LD00 Специфікації: Специфікації