W4NXE8C-LD00 Datasheet

W4NXE8C-LD00 datasivu pdf Lataa: Diameter 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4NXE8C-LD00 datasivu pdf Lataa:

Osa N: o：W4NXE8C-LD00

Valmistaja: Cree

Kuvaus: Diameter 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Lämpötila:

PDF Koko:

PDF-sivut:

W4NXE8C-LD00 Datasheet: Datasheet