K1B6416B6C datu

K1B6416B6C datu lapā PDF Lejupielādēt: 4Mx16 Synchronous Burst Uni-Transistor Random Access Memory

K1B6416B6C datu lapā PDF Lejupielādēt:

Daļa Nr：K1B6416B6C

Ražotājs: SAMSUNG[Samsung semiconductor]

Apraksts: 4Mx16 Synchronous Burst Uni-Transistor Random Access Memory

Temperatūra:

PDF izmērs:

PDF lapas:

K1B6416B6C datu: datu