K1B6416B6C tablični

K1B6416B6C tablični pdf download: 4Mx16 Synchronous Burst Uni-Transistor Random Access Memory

K1B6416B6C tablični pdf download:

Dio Br.：K1B6416B6C

Proizvođač: SAMSUNG[Samsung semiconductor]

Opis: 4Mx16 Synchronous Burst Uni-Transistor Random Access Memory

Temperatura:

PDF Veličina:

PDF Stranice:

K1B6416B6C tablični: tablični