W4NXD8C-0000 Specifikacijos

W4NXD8C-0000 PDF Atsisiųsti: Diameter 50.8mm; standatd mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4NXD8C-0000 PDF Atsisiųsti:

Dalis Nr：W4NXD8C-0000

Gamintojas: Cree

Aprašymas: Diameter 50.8mm; standatd mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Temperatūra:

PDF Dydis:

PDF puslapiai:

W4NXD8C-0000 Specifikacijos: Specifikacijos