W4NXD8C-L000 データシート

W4NXD8C-L000 データシートPDFダウンロード： Diameter 50.8mm; low mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

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品番：W4NXD8C-L000

メーカー: Cree

説明: Diameter 50.8mm; low mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

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